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ON Semiconductor - NTD23N03RT4G

KEY Part #: K6406970

[1136pcs Estoque]

    Número da peça:
    NTD23N03RT4G
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes and Tiristores - TRIACs ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor NTD23N03RT4G electronic components. NTD23N03RT4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD23N03RT4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTD23N03RT4G Atributos do produto

    Número da peça : NTD23N03RT4G
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 25V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 3.76nC @ 4.5V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 225pF @ 20V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
    Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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