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  5. APT58F50J

Microsemi Corporation - APT58F50J

KEY Part #: K6405456

APT58F50J Preços (USD) [1659pcs Estoque]

  • 20 pcs$15.76170
Número da peça:
APT58F50J
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation APT58F50J electronic components. APT58F50J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT58F50J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT58F50J Atributos do produto

Número da peça : APT58F50J
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
Series : POWER MOS 8™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 58A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 42A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 340nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 13500pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 540W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ISOTOP®
Pacote / caso : SOT-227-4, miniBLOC

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