[13288pcs Estoque]
- Número da peça:
- RP1A090ZPTR
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 12V 9A MPT6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RP1A090ZPTR electronic components. RP1A090ZPTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RP1A090ZPTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RP1A090ZPTR Atributos do produto
Número da peça :
RP1A090ZPTR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
59nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
7400pF @ 6V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
MPT6
Pacote / caso :
6-SMD, Flat Leads
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