[13856pcs Estoque]
- Número da peça:
- FDG361N
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDG361N electronic components. FDG361N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDG361N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDG361N Atributos do produto
Número da peça :
FDG361N
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
600mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
153pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
420mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SC-88 (SC-70-6)
Pacote / caso :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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