[8451pcs Estoque]
- Número da peça:
- FCPF11N60_G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- INTEGRATED CIRCUIT.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FCPF11N60_G electronic components. FCPF11N60_G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCPF11N60_G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCPF11N60_G Atributos do produto
Número da peça :
FCPF11N60_G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
INTEGRATED CIRCUIT
Series :
SuperFET™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
52nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1490pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
36W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220F
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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