IXFX64N60P Preços (USD) [5743pcs Estoque]
- 1 pcs$8.67298
- 10 pcs$7.50071
- 100 pcs$6.37561
- Número da peça:
- IXFX64N60P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFX64N60P electronic components. IXFX64N60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX64N60P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFX64N60P Atributos do produto
Número da peça :
IXFX64N60P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
Series :
HiPerFET™, PolarHT™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
64A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
96 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
200nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
12000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1040W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PLUS247™-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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