[576pcs Estoque]
- Número da peça:
- SI7802DN-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - TRIACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7802DN-T1-E3 electronic components. SI7802DN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7802DN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7802DN-T1-E3 Atributos do produto
Número da peça :
SI7802DN-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.24A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
435 mOhm @ 1.95A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.6V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.5W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® 1212-8
Pacote / caso :
PowerPAK® 1212-8
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