[3243pcs Estoque]
- Número da peça:
- IXTM50N20
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- POWER MOSFET TO-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTM50N20 electronic components. IXTM50N20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTM50N20, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTM50N20 Atributos do produto
Número da peça :
IXTM50N20
Fabricante :
IXYS
Descrição :
POWER MOSFET TO-3
Series :
GigaMOS™
Status da Peça :
Last Time Buy
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
220nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4600pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-204AE
Pacote / caso :
TO-204AE
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