Vishay Siliconix - SUM70090E-GE3

KEY Part #: K6405825

SUM70090E-GE3 Preços (USD) [100391pcs Estoque]

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  • 10 pcs$0.71077
  • 100 pcs$0.57129

Número da peça:
SUM70090E-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 50A D2PK TO263.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Unijunction Programável and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUM70090E-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SUM70090E-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 100V 50A D2PK TO263
Series : ThunderFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1950pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 125W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263 (D2Pak)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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