PSMN4R3-80ES,127 Preços (USD) [67219pcs Estoque]
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- 10 pcs$1.32078
- 100 pcs$1.00674
- 500 pcs$0.78303
- 1,000 pcs$0.64880
- Número da peça:
- PSMN4R3-80ES,127
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN4R3-80ES,127 electronic components. PSMN4R3-80ES,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN4R3-80ES,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PSMN4R3-80ES,127 Atributos do produto
Número da peça :
PSMN4R3-80ES,127
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
111nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
8161pF @ 40V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
306W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I2PAK
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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