DMP1012UCB9-7 Preços (USD) [263135pcs Estoque]
- 1 pcs$0.14056
- 3,000 pcs$0.12490
- Número da peça:
- DMP1012UCB9-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 8V 10A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Propósito Específico and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMP1012UCB9-7 electronic components. DMP1012UCB9-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMP1012UCB9-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMP1012UCB9-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMP1012UCB9-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET P-CH 8V 10A
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
-6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1060pF @ 4V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
890mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
U-WLB1515-9
Pacote / caso :
9-UFBGA, WLBGA
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