IRF7769L2TRPBF Preços (USD) [32283pcs Estoque]
- 1 pcs$1.27659
- 4,000 pcs$1.10898
- Número da peça:
- IRF7769L2TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V DIRECTFET L8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7769L2TRPBF electronic components. IRF7769L2TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7769L2TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7769L2TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF7769L2TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET L8
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
375A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 74A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
300nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
11560pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DIRECTFET L8
Pacote / caso :
DirectFET™ Isometric L8
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