SIR484DP-T1-GE3 Preços (USD) [223627pcs Estoque]
- 1 pcs$0.16540
- 3,000 pcs$0.15531
- Número da peça:
- SIR484DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
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- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
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SIR484DP-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIR484DP-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.3 mOhm @ 17.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
830pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SO-8
Pacote / caso :
PowerPAK® SO-8
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