ON Semiconductor - NTNUS3171PZT5G

KEY Part #: K6416029

NTNUS3171PZT5G Preços (USD) [1180825pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.03148
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Número da peça:
NTNUS3171PZT5G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 0.15A SOT-1123.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTNUS3171PZT5G Atributos do produto

Número da peça : NTNUS3171PZT5G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 20V 0.15A SOT-1123
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 150mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 13pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 125mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-1123
Pacote / caso : SOT-1123

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