Vishay Siliconix - IRFD9014PBF

KEY Part #: K6399932

IRFD9014PBF Preços (USD) [96413pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.40556

Número da peça:
IRFD9014PBF
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFD9014PBF Atributos do produto

Número da peça : IRFD9014PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 270pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.3W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pacote / caso : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

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