BSC010NE2LSATMA1 Preços (USD) [124569pcs Estoque]
- 1 pcs$0.29692
- Número da peça:
- BSC010NE2LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSC010NE2LSATMA1 electronic components. BSC010NE2LSATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC010NE2LSATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC010NE2LSATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSC010NE2LSATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
39A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
64nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4700pF @ 12V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TDSON-8
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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