IXYS-RF - IXFX24N100F

KEY Part #: K6397711

IXFX24N100F Preços (USD) [3618pcs Estoque]

  • 1 pcs$14.20941
  • 10 pcs$13.14289
  • 100 pcs$11.22469

Número da peça:
IXFX24N100F
Fabricante:
IXYS-RF
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Diodos - RF and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX24N100F Atributos do produto

Número da peça : IXFX24N100F
Fabricante : IXYS-RF
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3
Series : HiPerRF™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6600pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 560W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PLUS247™-3
Pacote / caso : TO-247-3

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