[2749pcs Estoque]
- Número da peça:
- IPP072N10N3GHKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPP072N10N3GHKSA1 electronic components. IPP072N10N3GHKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP072N10N3GHKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP072N10N3GHKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPP072N10N3GHKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 90µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
68nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4910pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
150W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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