[8643pcs Estoque]
- Número da peça:
- IPI034NE7N3 G
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPI034NE7N3 G electronic components. IPI034NE7N3 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI034NE7N3 G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPI034NE7N3 G Atributos do produto
Número da peça :
IPI034NE7N3 G
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
75V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 155µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
117nC @ 10V
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
8130pF @ 37.5V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
214W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO262-3
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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