IXFX90N60X Preços (USD) [7973pcs Estoque]
- 1 pcs$5.71434
- 50 pcs$5.68591
- Número da peça:
- IXFX90N60X
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFX90N60X electronic components. IXFX90N60X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX90N60X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFX90N60X Atributos do produto
Número da peça :
IXFX90N60X
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
38 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
210nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
8500pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1100W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PLUS247™-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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