[2199pcs Estoque]
- Número da peça:
- GP1M009A020HG
- Fabricante:
- Global Power Technologies Group
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 9A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Global Power Technologies Group GP1M009A020HG electronic components. GP1M009A020HG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP1M009A020HG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GP1M009A020HG Atributos do produto
Número da peça :
GP1M009A020HG
Fabricante :
Global Power Technologies Group
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 9A TO220
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
8.6nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
414pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
52W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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