DMT10H010LCT Preços (USD) [52836pcs Estoque]
- 1 pcs$0.74004
- 50 pcs$0.59788
- 100 pcs$0.53809
- 500 pcs$0.41852
- 1,000 pcs$0.32803
- Número da peça:
- DMT10H010LCT
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V TO220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
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DMT10H010LCT Atributos do produto
Número da peça :
DMT10H010LCT
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 100V TO220AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
98A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
71nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3000pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta), 139W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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