Nexperia USA Inc. - PMPB48EP,115

KEY Part #: K6421447

PMPB48EP,115 Preços (USD) [566109pcs Estoque]

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Número da peça:
PMPB48EP,115
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Diodos - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMPB48EP,115 Atributos do produto

Número da peça : PMPB48EP,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 860pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DFN2020MD-6
Pacote / caso : 6-UDFN Exposed Pad