ON Semiconductor - NTNS3A65PZT5G

KEY Part #: K6416035

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Número da peça:
NTNS3A65PZT5G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 0.281A SOT883.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTNS3A65PZT5G Atributos do produto

Número da peça : NTNS3A65PZT5G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 20V 0.281A SOT883
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 281mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1.1nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 44pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 155mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Pacote / caso : SC-101, SOT-883

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