[1645pcs Estoque]
- Número da peça:
- ECH8419-TL-H
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 35V 9A ECH8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor ECH8419-TL-H electronic components. ECH8419-TL-H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ECH8419-TL-H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ECH8419-TL-H Atributos do produto
Número da peça :
ECH8419-TL-H
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 35V 9A ECH8
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
35V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
19nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
960pF @ 20V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.5W (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-ECH
Pacote / caso :
8-SMD, Flat Lead
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