IXYS - IXFX180N25T

KEY Part #: K6398068

IXFX180N25T Preços (USD) [6989pcs Estoque]

  • 1 pcs$6.77797
  • 10 pcs$6.16275
  • 100 pcs$5.23834

Número da peça:
IXFX180N25T
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX180N25T Atributos do produto

Número da peça : IXFX180N25T
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247
Series : GigaMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 180A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.9 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 345nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 28000pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1390W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PLUS247™-3
Pacote / caso : TO-247-3

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