SIR622DP-T1-GE3 Preços (USD) [116377pcs Estoque]
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- Número da peça:
- SIR622DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 150V 51.6A SO-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
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- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
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SIR622DP-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIR622DP-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 150V 51.6A SO-8
Series :
ThunderFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
51.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 7.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1516pF @ 75V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
104W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SO-8
Pacote / caso :
PowerPAK® SO-8
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