STY80NM60N Preços (USD) [853pcs Estoque]
- 1 pcs$6.76474
- 10 pcs$6.21563
- 100 pcs$5.24962
- Número da peça:
- STY80NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 74A MAX247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STY80NM60N electronic components. STY80NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STY80NM60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STY80NM60N Atributos do produto
Número da peça :
STY80NM60N
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 74A MAX247
Series :
MDmesh™ II
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
74A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
360nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
10100pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
447W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
MAX247™
Pacote / caso :
TO-247-3
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