ON Semiconductor - FCPF099N65S3

KEY Part #: K6397966

FCPF099N65S3 Preços (USD) [22265pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.85094

Número da peça:
FCPF099N65S3
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 30A TO220F.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCPF099N65S3 Atributos do produto

Número da peça : FCPF099N65S3
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 650V 30A TO220F
Series : SuperFET® III
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 57nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2310pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 43W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220F
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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