RT1E040RPTR Preços (USD) [662144pcs Estoque]
- 1 pcs$0.06175
- 3,000 pcs$0.06144
- Número da peça:
- RT1E040RPTR
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 4A TSST8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RT1E040RPTR electronic components. RT1E040RPTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RT1E040RPTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RT1E040RPTR Atributos do produto
Número da peça :
RT1E040RPTR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1000pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
550mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-TSST
Pacote / caso :
8-SMD, Flat Lead
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