Microsemi Corporation - APT19F100J

KEY Part #: K6392788

APT19F100J Preços (USD) [3061pcs Estoque]

  • 1 pcs$14.14918
  • 10 pcs$13.08730
  • 25 pcs$12.02634
  • 100 pcs$11.17744
  • 250 pcs$10.25776

Número da peça:
APT19F100J
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT19F100J Atributos do produto

Número da peça : APT19F100J
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
Series : POWER MOS 8™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 440 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 8500pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 460W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ISOTOP®
Pacote / caso : SOT-227-4, miniBLOC

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