IXTK200N10P Preços (USD) [9347pcs Estoque]
- 1 pcs$4.87389
- 25 pcs$4.84964
- Número da peça:
- IXTK200N10P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 200A TO-264.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTK200N10P electronic components. IXTK200N10P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTK200N10P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTK200N10P Atributos do produto
Número da peça :
IXTK200N10P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
Series :
PolarHT™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
200A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
240nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
7600pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
800W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-264 (IXTK)
Pacote / caso :
TO-264-3, TO-264AA
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