PMV45EN2VL Preços (USD) [1056857pcs Estoque]
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- Número da peça:
- PMV45EN2VL
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMV45EN2VL electronic components. PMV45EN2VL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMV45EN2VL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMV45EN2VL Atributos do produto
Número da peça :
PMV45EN2VL
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
209pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
510mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-236AB
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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