IPA80R1K4CEXKSA2 Preços (USD) [57728pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.54980
- 100 pcs$0.43461
- 500 pcs$0.31882
- 1,000 pcs$0.25170
- Número da peça:
- IPA80R1K4CEXKSA2
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
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IPA80R1K4CEXKSA2 Atributos do produto
Número da peça :
IPA80R1K4CEXKSA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 240µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
570pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
31W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220 Full Pack
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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