Vishay Siliconix - IRLR120TRL

KEY Part #: K6393507

IRLR120TRL Preços (USD) [56569pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.69465
  • 3,000 pcs$0.69120

Número da peça:
IRLR120TRL
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLR120TRL Atributos do produto

Número da peça : IRLR120TRL
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 4.6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 490pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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