[12674pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRFU110
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de driver de energia and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFU110 electronic components. IRFU110 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFU110, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFU110 Atributos do produto
Número da peça :
IRFU110
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
540 mOhm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
8.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
180pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
25W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-251AA
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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