IRLB8314PBF Preços (USD) [91686pcs Estoque]
- 1 pcs$0.44737
- 10 pcs$0.39009
- 100 pcs$0.28472
- 500 pcs$0.21091
- 1,000 pcs$0.16873
- Número da peça:
- IRLB8314PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 184A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRLB8314PBF electronic components. IRLB8314PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLB8314PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLB8314PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRLB8314PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 184A TO220
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
130A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 mOhm @ 68A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5050pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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