[1191pcs Estoque]
- Número da peça:
- SSM5H12TU(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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SSM5H12TU(TE85L,F) Atributos do produto
Número da peça :
SSM5H12TU(TE85L,F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Series :
U-MOSIII
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
133 mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
1.9nC @ 4V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
123pF @ 15V
Recurso FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
UFV
Pacote / caso :
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
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