IXFT60N65X2HV Preços (USD) [11696pcs Estoque]
- 1 pcs$3.52340
- Número da peça:
- IXFT60N65X2HV
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - JFETs, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFT60N65X2HV electronic components. IXFT60N65X2HV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT60N65X2HV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFT60N65X2HV Atributos do produto
Número da peça :
IXFT60N65X2HV
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
52 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
108nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6300pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
780W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-268HV
Pacote / caso :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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