[1351pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRFHM830DTRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 20A PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFHM830DTRPBF electronic components. IRFHM830DTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFHM830DTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFHM830DTRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFHM830DTRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Ta), 40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1797pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.8W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PQFN (3x3)
Pacote / caso :
8-VQFN Exposed Pad
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