Rohm Semiconductor - R6035KNZC8

KEY Part #: K6398496

R6035KNZC8 Preços (USD) [8501pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.33247
  • 10 pcs$4.80010
  • 100 pcs$3.94691
  • 500 pcs$3.30688

Número da peça:
R6035KNZC8
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R6035KNZC8 Atributos do produto

Número da peça : R6035KNZC8
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 102 mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 102W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3PF
Pacote / caso : TO-3P-3 Full Pack

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