IPC26N12NX1SA1 Preços (USD) [29117pcs Estoque]
- 1 pcs$2.50318
- Número da peça:
- IPC26N12NX1SA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPC26N12NX1SA1 electronic components. IPC26N12NX1SA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPC26N12NX1SA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPC26N12NX1SA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPC26N12NX1SA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
120V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1A (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 244µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Sawn on foil
Pacote / caso :
Die
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