[13961pcs Estoque]
- Número da peça:
- FQU4P25TU
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQU4P25TU electronic components. FQU4P25TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQU4P25TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQU4P25TU Atributos do produto
Número da peça :
FQU4P25TU
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK
Series :
QFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 Ohm @ 1.55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
420pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I-PAK
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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