Toshiba Semiconductor and Storage - TPCC8067-H,LQ(S

KEY Part #: K6405613

[1604pcs Estoque]


    Número da peça:
    TPCC8067-H,LQ(S
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Zener - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TPCC8067-H,LQ(S Atributos do produto

    Número da peça : TPCC8067-H,LQ(S
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV
    Series : U-MOSVII-H
    Status da Peça : Active
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 4.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 100µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9.5nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 690pF @ 10V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 700mW (Ta), 15W (Tc)
    Temperatura de operação : 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
    Pacote / caso : 8-PowerVDFN

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