RW1C015UNT2R Preços (USD) [586340pcs Estoque]
- 1 pcs$0.06974
- 8,000 pcs$0.06939
- Número da peça:
- RW1C015UNT2R
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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RW1C015UNT2R Atributos do produto
Número da peça :
RW1C015UNT2R
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
1.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
110pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
400mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-WEMT
Pacote / caso :
SOT-563, SOT-666
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