Vishay Siliconix - SUD50P10-43L-E3

KEY Part #: K6397560

SUD50P10-43L-E3 Preços (USD) [68608pcs Estoque]

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  • 2,000 pcs$0.53396

Número da peça:
SUD50P10-43L-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUD50P10-43L-E3 Atributos do produto

Número da peça : SUD50P10-43L-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 37.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 43 mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 160nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4600pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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