STMicroelectronics - STN2NF10

KEY Part #: K6416599

STN2NF10 Preços (USD) [256075pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.14444
  • 4,000 pcs$0.11733

Número da peça:
STN2NF10
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STN2NF10 Atributos do produto

Número da peça : STN2NF10
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
Series : STripFET™ II
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 260 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 280pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.3W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-223
Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA

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