Microsemi Corporation - APTM20DAM04G

KEY Part #: K6396595

APTM20DAM04G Preços (USD) [761pcs Estoque]

  • 1 pcs$61.31372
  • 100 pcs$61.00868

Número da peça:
APTM20DAM04G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 200V 372A SP6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM20DAM04G Atributos do produto

Número da peça : APTM20DAM04G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 200V 372A SP6
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 372A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 186A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 10mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 560nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 28900pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1250W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP6
Pacote / caso : SP6

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