IPD60R520C6ATMA1 Preços (USD) [2713pcs Estoque]
- 2,500 pcs$0.24941
- Número da peça:
- IPD60R520C6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IPD60R520C6ATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPD60R520C6ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
Series :
CoolMOS™ C6
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
520 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 230µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
23.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
512pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
66W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO252-3
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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