Renesas Electronics America - NP110N04PUG-E1-AY

KEY Part #: K6405700

[1574pcs Estoque]


    Número da peça:
    NP110N04PUG-E1-AY
    Fabricante:
    Renesas Electronics America
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Propósito Específico ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NP110N04PUG-E1-AY Atributos do produto

    Número da peça : NP110N04PUG-E1-AY
    Fabricante : Renesas Electronics America
    Descrição : MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
    Series : -
    Status da Peça : Active
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 110A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 55A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 390nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 25700pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 1.8W (Ta), 288W (Tc)
    Temperatura de operação : 175°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263
    Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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